Эксперты

Nitride Semiconductors установила новый уровень выходной мощности ультрафиолетовых светодиодов

13 марта
0

Компания Nitride Semiconductors представила линейку сверхмощных ультрафиолетовых светодиодов, выходная мощность которых достигает более 3 Вт.

Один из таких светодиодов — NS380L-6SVR с мощностью 3200 мВт при длине волны 380 нм. По заявлениям производителя, выходная мощность этого светодиода при такой длине волны является самой большой среди коммерческих светодиодов, созданных на одном чипе.

Nitride Semiconductors установила новый уровень выходной мощности ультрафиолетовых светодиодов
— Nitride Semiconductors установила новый уровень выходной мощности ультрафиолетовых светодиодов

Nitride Semiconductors также выпустила линейку светодиодов с большей длиной волны. Эти светодиоды получили название NS400L-6SVR, их выходная мощность составляет 3200 мВт при длине волны 400 нм.

Новая линейка микросхем сочетает в себе рабочее напряжение 4 В с очень высокой эффективностью. Например, питаясь от источника 800 мА светодиоды NS380L-5SVR обеспечивают 700 мВт при длине волны 380 нм, квантовый коэффициент полезного действия — 35%. При длине волны 400 нм светодиод NS380L-5SVR выдает 1200 мВт, питаясь от источника 1000 мА и обеспечивая КПД 38,7%.

Как правило микросхемы ультрафиолетовых светодиодов имеют размеры 1 мм х 1 мм. Компания SemiLEDs выпускает светодиоды на платах с габаритами 1,2 мм х 1,2 мм, размеры микросхем от Nichia составляют 1 мм х 1 мм. Габариты созданных компанией Nitride Semiconductors составляют 2,2 мм х 2,2 мм, что делает их самыми крупными чипами, представленными сегодня на рынке светодиодов.

Увеличение размера чипа при сохранении его производительности нельзя назвать тривиальным решением. Несмотря на увеличение габаритов микросхемы, часто бывает так, что ее производительность снижается. Связано это с распределением тепла и токов.

Чтобы решить эти проблемы, разработчики из Nitride Semiconductors использовали новую методику. Они создали новую многослойную структуру для того, чтобы эффективно высвобождать тепло, а также представили электрод, позволяющий току течь равномерно. Реализовать все это удалось за счет минимизации дефектов кристалла и оптимизации эпитаксиального выращивания, а также создания вертикальной конструкции чипа с оптимальной схемой электродов.  

По заявлениям компании-производителя, использование так называемой системы на кристалле позволяет упростить линзу, а также уменьшить напряжение драйвера.


Комментарии (0)

    Вы должны авторизоваться, чтобы оставлять комментарии.


    © 2000–2014 shema.ru
    info@shema.ru
    При использовании материалов сайта прямая ссылка на сайт www.shema.ru обязательна.
    Создание сайта - студия 99Web.ru
    0.5472 s
    Ramblers Top100