Эксперты

Транзисторы вышли в новое измерение

14 марта
0

Новое достижение французских ученых может раздвинуть границы миниатюризации электронных компонентов дальше, чем считалось возможным. Команда исследователей из лаборатории LAAS-CNRS в Тулузе, а также Института электроники, микроэлектроники и нанотехнологий создала нанометровый транзистор, проявляющий исключительные для устройства своего размера свойства. Для достижения такого результата исследователи разработали инновационную трехмерную архитектуру – вертикальный нанопроводной массив, проводимость которого контролируется затвором длиной всего в 14 нм. Работа, сообщение о которой появилось в журнале Nanoscale, открывает путь к альтернативам планарным структурам, которые применяются в микропроцессорах и блоках памяти. Использование трехмерных транзисторов может значительно увеличить мощность микроэлектронных устройств.

Транзисторы вышли в новое измерение
— Транзисторы вышли в новое измерение

Транзисторы (строительные блоки микроэлектроники) состоят из полупроводникового компонента, именуемого каналом, который связывает два электрода. Ток между этими электродами управляется третьим электродом – затвором. Действуя как переключатель, затвор определяет, включен транзистор или выключен. В течение последних пятидесяти лет транзисторы неуклонно уменьшались в размере, предоставляя возможность разработки все более мощных микроэлектронных устройств. Однако широко распространено мнение, что нынешние транзисторы, обладающие плоскостной архитектурой, приближаются к пределу миниатюризации: есть минимальный уровень, ниже которого управление затвором каналом становится все менее и менее эффективным.  Для решения этой проблемы исследователи разных стран мира изучают альтернативы, которые позволили бы продолжить гонку за миниатюризацией.

Теперь исследователи из Франции создали первый действительно трехмерный нанометровый транзистор. Устройство состоит из плотного вертикального нанопроводного массива длиной примерно в 200 нм, связывающего две проводящие поверхности. Хромовый затвор полностью окружает каждый нанопровод и управляет током, что обеспечивает оптимальный транзисторный контроль для системы такого размера. Как уже было сказано, длина затвора составляет 14 нм, тогда как соответствующий показатель в транзисторах имеющихся сегодня чипов равен 28 нм, однако его способность управлять током в канале соответствует требованиям, предъявляемым к подобным устройствам современной микроэлектроникой.


Комментарии (0)

    Вы должны авторизоваться, чтобы оставлять комментарии.


    © 2000–2014 shema.ru
    info@shema.ru
    При использовании материалов сайта прямая ссылка на сайт www.shema.ru обязательна.
    Создание сайта - студия 99Web.ru
    5.4244 s
    Ramblers Top100