Эксперты



Инженеры создали новую энергоэффективную компьютерную память из магнитных материалов

17 декабря
0

Применив вместо электрического тока напряжение, исследователи из Школы инженерии и прикладных наук Генри Самуэли при Калифорнийском университете в Лос-Анджелесе (США) значительно усовершенствовали ультрабыстрый и высокоемкостный класс компьютерной памяти, известный как магниторезистивная оперативная память (MRAM).

Улучшенная американскими инженерами память получила название MeRAM (магнитоэлектрическая оперативная память) и обладает большим потенциалом с точки зрения ее применения в будущих чипах памяти для различных устройств, в частности, смартфонов, планшетов, компьютеров и микропроцессоров, а также с целью хранения данных, подобно твердотельным накопителям, используемым в компьютерах и крупных центрах обработки информации.

Инженеры создали новую энергоэффективную компьютерную память из магнитных материалов
— Инженеры создали новую энергоэффективную компьютерную память из магнитных материалов

Основным преимуществом MeRAM перед существующими технологиями является то, что новинка потребляет очень мало энергии, но при этом обладает большой емкостью, высокой скоростью записи и считывания, а также энергонезависимостью, т.е. способностью сохранять данные при прекращении подачи питания. В этом она похожа на жесткие диски и флэш-накопители, только MeRAM работает намного быстрее.

Сейчас магнитная память основана на технологии, именуемой переносом спинового момента (STT) и предполагающей использование магнитного свойства электронов (спина) наряду с их зарядом. Для перемещения электронов с целью записи данных в память применяется электрический ток.

Хотя во многих отношениях STT превосходит другие технологии памяти, ее механизм записи на основе электрического тока требует определенного количества энергии, а это значит, что при записи информации генерируется тепло. Кроме того, емкость памяти ограничена определенным физическим пределом (максимальной близостью расположения битов данных).

В связи с этим американские исследователи решили использовать для записи данных не ток, а электрическое напряжение. Это позволило им исключить потребность в перемещении большого количества электронов по проводам и использовать для записи информации в память разность потенциалов. В итоге получилась компьютерная память, генерирующая намного меньше тепла, что делает ее от 10 до 1000 раз более энергоэффективной. Кроме того, новинка может быть более чем в пять раз более плотной, т.е. на одной и той же площади умещается гораздо больше битов, что снижает стоимость бита.


Комментарии (0)

    Вы должны авторизоваться, чтобы оставлять комментарии.


    © 2000–2018 shema.ru
    info@shema.ru
    При использовании материалов сайта прямая ссылка на сайт www.shema.ru обязательна.
    Создание сайта - студия 99Web.ru
    0.7548 s
    Ramblers Top100